ICP刻蚀机哪家好-沈阳鹏程(在线咨询)-ICP刻蚀机

ICP刻蚀机的检测技术

预报式检测

随着主流半导体工艺技术由0.18 μm 逐渐转移到0.13 μm工艺，以及较新的90 nm 工艺成功研发及投入使用。半导体器件的特征尺寸进一步减小，ICP刻蚀机销售，栅氧层的厚度越来越薄。90 nm工艺中，栅氧层的厚度仅为1.2 nm。如果等离子体刻蚀工艺控制不好， 则非常容易出现栅氧层的损伤；同时， 所使用的晶片尺寸增至300mm， 暴露在等离子体轰击下的被刻蚀面积不断缩小，所检测到的终点信号的强度下降，信号的信噪比降低。所有这些因素都对终点检测技术本身及其测量结果的可靠性提出了更加严格的要求。在0.18 μm工艺时，使用单一的OES检测手段就可满足工艺需求;进入0.13 μm 工艺后，就必须结合使用OES 及IEP 两种检测手段。由于IEP技术可以在刻蚀终点到达之前进行预报，ICP刻蚀机哪家好，因而被称为预报式终点检测技术。

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等离子体化学气相沉积

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等离子体化学气相沉积简称PCVD，ICP刻蚀机，是一种用等离子体激发反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激发并实现化学气相沉积的技术。

化学气相沉积过程介绍

化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积TiC或TiN，是向850~1100℃的反应室通入TiCl4，H2，CH4等气体，经化学反应，ICP刻蚀机供应，在基体表面形成覆层。

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