方箱PECVD简介
该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺研发设备,气相化学沉积,用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜,镀膜样品为156×156mm基片(并向下兼容)。
设备概述:
1.系统采用单室方箱式结构,手动前开门;
2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm;
3.极限真空度:≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后,采用分子泵抽气);
系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa,35分钟可达到
(采用分子泵抽气,气相化学沉积定做,分子泵不配,预留分子泵接口); 停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa(采用分子
泵抽气,分子泵不配,气相化学沉积哪家好,预留分子泵接口);
4.采用样品在下,喷淋头在上喷淋式进气方式;
5.样品加热加热温度:300℃,温控精度:±1°C,采用日本进口控温表进行控温;
6.喷淋头尺寸:200×200mm,喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调;
7. 沉积工作真空:13-1300Pa;
8.气路设有匀气系统,气相化学沉积公司,真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置;
9.射频电源:频率 13.56MHz,功率500W,全自动匹配;
10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体,共计使用7个质量流量控制器控制进气。
11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。
以上就是关于方箱PECVD镀膜产品的相关内容介绍,如有需求,欢迎拨打图片上的热线电话或关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司!
化学气相沉积的原理
沈阳鹏程真空技术有限责任公司专业生产、销售化学气相沉积,我们为您分析该产品的以下信息。
化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺,它大致包含三步:
(1)形成挥发性物质 ;
(2)把上述物质转移至沉积区域 ;
(3)在固体上产生化学反应并产生固态物质 。基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。
化学气相沉积技术类型介绍
想了解更多关于化学气相沉积的相关资讯,请持续关注本公司。
化学气相沉积装置主要的元件就是反应器。按照反应器结构上的差别,我们可以把化学气相沉积技术分成开管/封管气流法两种类型:
1 封管法这种反应方式是将一定量的反应物质和集体放置于反应器的两边,将反应器中抽成真空, 再向其中注入部分输运气体,然后再次密封, 再控制反应器两端的温度使其有一定差别,它的优点是:①能有效够避免外部污染;②无须持续抽气就能使是内部保持真空。
2 开管法这种制备方法的特点是反应气体混合物能够随时补充。废气也可以及时排出反应装置。以加热方法为区分,开管气流法应分为热壁和冷壁两种。前者的加热会让整个沉积室壁都会因此变热,所以管壁上同样会发生沉积。冷壁式加热一般会使用感应加热、通电加热以及红外加热等等。