磁控溅射镀膜机的工作原理是什么?
磁控溅射原理:电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与原子发生碰撞,电离出大量的离子和电子,电子飞向基片。离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响,被束缚在靠近靶面的等离子体区域内,该区域内等离子体密度很高,二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动,该电子的运动路径很长,在运动过程中不断的与原子发生碰撞电离出大量的离子轰击靶材,经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低,磁控溅射机公司,摆脱磁力线的束缚,远离靶材,沉积在基片上。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径,改变电子的运动方向,提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片,真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互作用( E X B drift)使单个电子轨迹呈三维螺旋状,而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓,磁控溅射机厂,那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。在E X B shift机理下工作的不光磁控溅射,多弧镀靶源,离子源,等离子源等都在次原理下工作。所不同的是电场方向,电压电流大小而已
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双室磁控溅射系统
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设备简介
主要特点是设备体积小,结构简单紧凑易于操作,对实验室供电要求低;该系列设备主要部件采用进口或者国内较优的配置,从而提高设备的稳定性;另外自主开发的智能操作系统在设备的运行重复性及安全性方面得到更好地**。 目前该系列有基本型、旗舰型、豪华型、尊享型4种不同配置可供选择,可以根据客户的不同需求进行配置,比较灵活;标配4只Φ2英寸永磁靶,4台500W直流溅射电源,主要用来开发纳米级单层及多层的金属导电膜、半导体膜以及绝缘膜等。
磁控溅射的种类介绍
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。
靶源分平衡式和非平衡式,平衡式靶源镀膜均匀,非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜,非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同,大致可分为平衡态磁控阴极和非平衡态磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等,两极磁力线闭合于靶面,很好地将电子/等离子体约束在靶面附近,增加了碰撞几率,提高了离化效率,因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电,靶材利用率相对较高。
但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面,基片区域所受离子轰击较小。非平衡磁控溅射技术,即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁较,两极磁力线在靶面不完全闭合,部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域,从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片,增加基片磁控溅射区域的等离子体密度和气体电离率。不管平衡还是非平衡,磁控溅射机厂家,若磁铁静止,磁控溅射机,其磁场特性决定了一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率,可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构,同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶,如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备,多用磁场静止靶源。
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