PLD300A型激光镀膜设备供应-沈阳鹏程-激光镀膜设备供应

脉冲激光沉积简介

沈阳鹏程真空技术有限责任公司——专业脉冲激光沉积供应商，我们为您带来以下信息。

【设备主要用途】

PLD450A型脉冲激光沉积设备采用PLD脉冲激光沉积技术，用于制备高温**导薄膜、半导体膜、铁电薄膜、硬质薄膜以及微电子和光电子用多元氧化物薄膜及异质结，也可用于制备氮、碳、硅化合物及各种**—无机复合材料薄膜及金刚石薄膜等。

【设备优点】

设备全程采用一键式操作抽气，关机，程序自动化定时操作。避免了繁琐的角阀，插板阀人工开启。

【设备主要组成】

设备由沉积腔室（单室球形或圆筒形）、样品加热转台、激光入射转靶、激光窗、电源控制系统、激光束扫描系统、计算机控制转靶的旋转、脉冲准分子激光器等组成

脉冲激光沉积选件介绍

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的术语，该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，pld300型激光镀膜设备供应，高真空下的PLD 与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用，用户提供了类似于MBE 的薄膜生长的单分子水平控制。

正确的设计是成功使用RHEED 和PLD 的重要因数

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，PLD300A型激光镀膜设备供应，PLD 采用较高的压力，差动抽气是必要的，

维持RHEED 枪的工作压力，同时保持500 mTorr 的PLD 工艺压力。同时，PLD450型激光镀膜设备供应，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。Neocera 的激光MBE 系统可以为用户提供在压力达到500 mTorr 时所需的单分子层控制。

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脉冲激光沉积系统配置介绍

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脉冲激光沉积系统配置：

生长室，激光镀膜设备供应，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell， E-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。