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化学气相沉积过程介绍

化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积TiC或TiN，是向850~1100℃的反应室通入TiCl4，H2，CH4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。

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化学气相沉积产品概述

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1、适用范围：适合于各单位实验室、高等院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。

2、产品优点及特点：应用于半导体薄膜、硬质涂层等薄膜制备，兼等离子体清洗、等离子体刻蚀。

3、主要用途：主要用来制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜。

化学气相沉积技术类型介绍

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化学气相沉积装置主要的元件就是反应器。按照反应器结构上的差别，我们可以把化学气相沉积技术分成开管/封管气流法两种类型：

1 封管法这种反应方式是将一定量的反应物质和集体放置于反应器的两边，将反应器中抽成真空， 再向其中注入部分输运气体，然后再次密封， 再控制反应器两端的温度使其有一定差别，ICP刻蚀机销售，它的优点是：①能有效够避免外部污染；②无须持续抽气就能使是内部保持真空。

2 开管法这种制备方法的特点是反应气体混合物能够随时补充。废气也可以及时排出反应装置。以加热方法为区分，开管气流法应分为热壁和冷壁两种。前者的加热会让整个沉积室壁都会因此变热，所以管壁上同样会发生沉积。冷壁式加热一般会使用感应加热、通电加热以及红外加热等等。