脉冲激光沉积
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在一阶段,激光束聚焦在靶的表面。达到足够的高能量通量与短脉冲宽度时,靶表面的一切元素会快速受热,到达蒸发温度。物质会从靶中分离出来,激光镀膜设备定做,而蒸发出来的物质的成分与靶的化学计量相同。物质的瞬时熔化率大大取决于激光照射到靶上的流量。熔化机制涉及许多复杂的物理现象,例如碰撞、热,与电子的激发、层离,以及流体力学。
在*二阶段,根据气体动力学定律,发射出来的物质有移向基片的倾向,并出现向前散射峰化现象。空间厚度随函数cosnθ而变化,而n>>1。激光光斑的面积与等离子的温度,PLD450型激光镀膜设备定做,对沉积膜是否均匀有重要的影响。靶与基片的距离是另一个因素,支配熔化物质的角度范围。亦发现,将一块障板放近基片会缩小角度范围。
*三阶段是决定薄膜质量的关键。放出的高能核素碰击基片表面,可能对基片造成各种破坏。高能核素溅射表面的部分原子,而在入射流与受溅射原子之间,建立了一个碰撞区。膜在这个热能区(碰撞区)形成后立即生成,这个区域正好成为凝结粒子的较佳场所。只要凝结率比受溅射粒子的释放率高,热平衡状况便能够快速达到,由於熔化粒子流减弱,膜便能在基片表面生成。
脉冲激光沉积简介
沈阳鹏程真空技术有限责任公司——专业脉冲激光沉积供应商,我们为您带来以下信息。
【设备主要用途】
PLD450A型脉冲激光沉积设备采用PLD脉冲激光沉积技术,用于制备高温**导薄膜、半导体膜、铁电薄膜、硬质薄膜以及微电子和光电子用多元氧化物薄膜及异质结,也可用于制备氮、碳、硅化合物及各种**—无机复合材料薄膜及金刚石薄膜等。
【设备优点】
设备全程采用一键式操作抽气,关机,程序自动化定时操作。避免了繁琐的角阀,插板阀人工开启。
【设备主要组成】
设备由沉积腔室(单室球形或圆筒形)、样品加热转台、激光入射转靶、激光窗、电源控制系统、激光束扫描系统、计算机控制转靶的旋转、脉冲准分子激光器等组成
脉冲激光沉积选件介绍
激光分子束外延(Laser MBE )
激光MBE 是普遍采用的术语,该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法,PLD300A型激光镀膜设备定做,高真空下的PLD 与在线工艺监测的反射高能电子衍射(RHEED)的联合应用,用户提供了类似于MBE 的薄膜生长的单分子水平控制。
正确的设计是成功使用RHEED 和PLD 的重要因数
RHEED 通常在高真空(<10-6 torr)环境下使用。然而,因为在某些特殊情况下,PLD 采用较高的压力,差动抽气是必要的,PLD300A型激光镀膜设备定做,
维持RHEED 枪的工作压力,同时保持500 mTorr 的PLD 工艺压力。同时,设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。Neocera 的激光MBE 系统可以为用户提供在压力达到500 mTorr 时所需的单分子层控制。
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