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MBE 分子束外延系统扩展功能介绍

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?温度控制器：基底加热

?LN2 or CW 冷却系统

?**高真空离子泵

?反射计：原位光学厚度测控

?带自动样品递送装置的Loadlock样品加载系统

MBE分子束外延的特点

分子束外延与其他外延方法相比具有如下的特点：

1）源和衬底分别进行加热和控制，生长温度低，如GaAs可在500摄氏度左右生长，mbe分子束外延生产厂家，可减少生长过程中产生的热缺陷及衬底与外延层中的杂质的扩散，可得到杂质分布陡峭的外延层；

2）生长速度低，可以利用快门精密的控制掺杂、组合和厚度，是一种原子级的生长技术，有利于生长多层异质结构；

3）MBE生长不是在热平衡条件下进行的，mbe分子束外延价格，是一个动力学过程，因此可以生长一般热平衡生长难以得到的晶体；

4）生长过程中，表面处于真空中，mbe分子束外延多少钱，利用附设的设备可以进行原位（即时）观测，分析、研究生长过程、组分、表面状态等。

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影响MBE分子束外延的因素有哪些？

1、外延温度为了引起外延，基片的温度应达到某一温度值，即有必要加热到外延温度以上，当温度低于外延温度时则不能引起外延。而且外延温度还与其他条件有关，不同条件下的外延温度是不同的。

2、基片结晶的臂开在过去的常规研究方面，基片结晶是在大气下臂开(机械折断产生结晶面)而后放入真空装置中来制取外延单晶膜。已经研究了晶面一旦臂开就立刻进行制膜的方法。由于这两种方法不同，其外延温度也有所不同。基片结晶在真空下臂开而引起的处延临界温度的不同值。

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