气相化学沉积-沈阳鹏程公司-气相化学沉积定做

ICP刻蚀机的原理

感应耦合等离子体刻蚀法（Inductively Coupled Plasma Etch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，气相化学沉积定做，在下电极的RF 射频作用下，气相化学沉积销售，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，气相化学沉积哪家好，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。

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化学气相沉积法在金属材料方面的使用

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钯的化学气相沉积Pd 及其合金对氢气有着较强的吸附作用以及特别的选择渗透性能，是一种存储或者净化氢气的理想材料。对于Pd 的使用大多是将钯合金或是钯镀层生产氢净化设备 。也有些学者使用化学气相沉积法将钯制成薄膜或薄层。具体做法是使用分解温度较低的金属**化合物当做制备钯的材料，具体包括：烯丙基Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之类的材料，气相化学沉积，使用这种方式能够制取出纯度很高的钯薄膜。

化学气相沉积技术在材料制备中的使用

化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜：

化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。比如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。在当代，微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料，这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外，也有一些在未来有可能发展成开关以及存储记忆材料，例如氧化铜-氧化铜等都可以使用化学气相沉积法进行生产。

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