化学气相沉积过程介绍
化学气相沉积过程分为三个重要阶段:反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积TiC或TiN,等离子化学气相沉积多少钱,是向850~1100℃的反应室通入TiCl4,H2,CH4等气体,经化学反应,在基体表面形成覆层。
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等离子体化学气相沉积原理及特点
原理是在高频或直流电场作用下,等离子化学气相沉积定做,源气体电离形成等离子体,基体浸没在等离子体中或放置在等离子体下方,吸附在基体表面的反应粒子受高能电子轰击,结合键断裂成为活性粒子,化学反应生成固态膜。沉积时,基体可加热,亦可不加热。工艺过程包括气体放电、等离子体输运,气态物质激发及化学反应等。主要工艺参数有:放电功率、基体温度、反应压力及源气体成分。主要特点是可显著降低反应温度,已用于多种薄膜材料的制备。
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ICP刻蚀机的结构
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ICP设备主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统和真空系统四部分。
(1)预真空室预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度,不受外界环境(如:粉尘、水汽)的影响,等离子化学气相沉积生产厂家,将危险性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。
(2)刻蚀腔体刻蚀腔体是ICP 刻蚀设备的核心结构,它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。刻蚀腔的主要组成有:上电极、ICP 射频单元、RF 射频单元、下电极系统、控温系统等组成。
(3)供气系统供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体,通过压力控制器(PC)和质量流量控制器(MFC)精准的控制气体的流速和流量。气体供应系统由气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元等组成。
(4)真空系统真空系统有两套,分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空,只有在预真空室真空度达到设定值时,才能打开隔离门,进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供,刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。