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MBE技术的发展

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随着MBE技术的发展，出现了迁移增强外延技术（MEE）和气源分子束外延（GS-MEE）技术。MEE技术自1986年问世以来有了较大的发展。它是改进型的MBE。在珅化的MBE过程中，分子束外延设备多少钱，使原子到达表面后不立即直接与珅原子发生表面反应生长珅化层，分子束外延设备，而是使原子在衬底表面具有较长的距离，分子束外延设备报价，达到表面台阶处成核生长。它在很低的温度下（200度）也能生长出高质量的外延层，关键性的问题是控制珅的束流强度，否则会影响表面的质量。

近年来出现了气源迁移增强外延，为硅基低维材料的制作开辟了新的工艺研究方向。气源MBE技术的发展是为了解决珅和磷束流强度比率难以控制的问题。其特点是继续采用固态IV族元素和杂质源，再用珅烷和磷烷作为V族元素源，从而解决了用MBE方法生长InP系的主要困难。

MBE分子束外延装置介绍

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MBE装置由样品进样室、预处理分析室和牛K窜等组成。窜间用闸扳阀隔开，以确保生长室的**高真空与清洁。根据MBE系统的几何结构相应地配置真空系统。根据要求，3个室的真空配置的配置泵的系统并非一样：

(1)进样室。真空度为1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1.33×10-7Pa段用吸附泵或涡轮分子加离子泵；1.33×10-7Pa时用涡轮分子泵；1.33 x 10-8Pa时用涡轮分子泵或其他泵加闭路循环液氮低温泵。

(2)预处理分析室。真空度为1 33×10-8Pa，由400L/s抽速的离子泵获得。

(3)生长室。真空度为1.33 x 10-9Pa。要按生长室的容积大小和所用的生长材料的阵质来配置。用大抽速带冷阱的特种油扩散泵、大抽速涡轮分子泵、太抽速闭路循环液氮低温泵、大抽速离子泵等四种泵为主泵，再辅以钛升华泵。

什么是MBE分子束外延技术？

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分子束外延技术

分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术，它是在**高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，以一定的热运动速度，按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法。