分子束外延生产厂家-沈阳鹏程(在线咨询)-分子束外延

MBE400 分子束外延系统

MBE400 分子束外延系统是一款通用型MBE系统，非常适合于III/V族， II/VI族，及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片。竖直分割式腔体设计，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长。

该系统主要有蒸发沉积室、进样室、束源炉、样品磁力传递机构、样品库装置、样品加热机构、泵抽系统、真空测量系统、气路系统、电控系统等组成。样品从进样室通过磁力传递机构，分子束外延报价，把样品送到蒸发沉积室，进行蒸发沉积等镀膜实验。

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MBE分子束外延技术的发展

分子束外延自20世纪60年代末在真空蒸镀的基础上产生以来，发展十分迅速。其中之一是引入气态的分子束源，构成所谓化学束外延(CBE)。用磷烷(PH3)生长InGaAsP等四元材料，或将金属**化合物引入分子束源形成所谓金属**化合物分子束外延(MOMBE)。这两项新技术是把MBE和发展很快的金属**化合物气相沉积(MOCVD)技术相结合，分子束外延，进一步改进了MBE的生长和控制能力。

把分子束外延和脉冲激光结合起来，发展成所谓激光分子束外延(L-MBE)技术。它是用激光照射靶来代替分子(原子)束源，更容易实现对蒸发过程准确的控制，显示了比常规分子束外延更加广阔的应用前景。

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MBE 分子束外延系统扩展功能介绍

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?温度控制器：基底加热

?LN2 or CW 冷却系统

?**高真空离子泵

?反射计：原位光学厚度测控

?带自动样品递送装置的Loadlock样品加载系统