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影响MBE分子束外延的因素有哪些？

1、外延温度为了引起外延，基片的温度应达到某一温度值，即有必要加热到外延温度以上，当温度低于外延温度时则不能引起外延。而且外延温度还与其他条件有关，不同条件下的外延温度是不同的。

2、基片结晶的臂开在过去的常规研究方面，分子束外延设备厂家，基片结晶是在大气下臂开(机械折断产生结晶面)而后放入真空装置中来制取外延单晶膜。已经研究了晶面一旦臂开就立刻进行制膜的方法。由于这两种方法不同，其外延温度也有所不同。基片结晶在真空下臂开而引起的处延临界温度的不同值。

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MBE分子束外延概述

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分子束外延是近十年来出现的高精密制膜技术，它综合了脉冲激光沉积和分子束外延的特点和优势，可在高真空、**高真空条件下实现原位实时监控薄膜原子尺度层状外延生长。适用于多种**、无机薄膜的制备，尤其适宜于用其它制膜设备和方法难以制备的高熔点、多元素（特别是含有气体元素时）、复杂层状结构的薄膜和**晶格的制备，并可同时进行激光与物质相互作用及成膜过程的物理、化学观测，为探索、开发新材料、新器件及相关基础研究提供了一个强有力的平台。

MBE的应用

用于材料科学的组合(Combinatorial)技术

一次合成一个样品，分子束外延设备多少钱，该样品描写了不同合成条件的组合结果，然后进行筛选产品，这整个过程是一种“组合化学”(Combinatorial Chemistry)。目前，这种技术在医学或药学的发展将显得非常必要。而且，由此产生的研究结果正在呈指数上升。

应用

1.蓝光ZnO 和 GaN 新材料研发

2.氧化物微奈米薄膜、STO 压电薄膜

3.奈米磁性薄膜

4.**导体材料

5.高能材料

6.新尖i端组合材料 (Combinatorial Materials)

新型薄膜和器件方面的应用

可用于多种薄膜的生长，分子束外延设备生产厂家，包括GaN、**薄膜以及结型器件的制备，如金刚石、富勒烯球碳和含有氧化物的Si结型器件等。

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