mbe分子束外延定做-mbe分子束外延-沈阳鹏程真空技术

MBE分子束外延系统介绍

设备用途：

分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和**晶格的生长。该法生长温度低，能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度。

设备组成：

该系统主要由真空获得系统、外延生长系统（外延室）、快速进样系统（进样室）、高能电子衍射系统、电器控制系统、计算机控制系统等组成。

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MBE分子束外延技术的重要性

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分子束外延技术的发展，推动了以GaAs为主的III-V族半导体及其它多元多层异质材料的生长，大大地促进了新型微电子技术领域的发展，造就了GaAs IC、GeSi异质晶体管及其集成电路以及各种**晶格新型器件。特别是GaAs IC（以MESFET、HEMT、HBT以及以这些器件为主设计和制作的集成电路）和红外及其它光电器件，mbe分子束外延供应，在军事应用中有着较其重要的意义。GaAs MIMIC（微波毫米波单片电路）和GaAs VHSIC（**高速集成电路）将在新型相控阵雷达、阵列化电子战设备、灵巧和**高速信号处理、计算机等方面起着重要的作用。

使用MBE分子束外延设备时需要注意什么？

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传统的分子束外延(MBE)技术在制备高质量的半导体**晶格方面取得了巨大的成功，mbe分子束外延厂，人们甚至可以人工操纵原子而获得设想的特殊结构。然而，由于分子束源和其加热系统皆置于**高真空系统中，而且为了制备多组元薄膜，必须准确地控制每一个分子束源的束流以获得理想的计量比。

需要注意的是MBE的这种加热束源的结构使其很难制备高熔点材料和复杂体系的薄膜，难以在较高气压(特别是氧气压)的条件下运转。