分子束外延设备生产厂家-分子束外延设备-沈阳鹏程

MBE分子束外延技术的重要性

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分子束外延技术的发展，推动了以GaAs为主的III-V族半导体及其它多元多层异质材料的生长，分子束外延设备价格，大大地促进了新型微电子技术领域的发展，造就了GaAs IC、GeSi异质晶体管及其集成电路以及各种**晶格新型器件。特别是GaAs IC（以MESFET、HEMT、HBT以及以这些器件为主设计和制作的集成电路）和红外及其它光电器件，在军事应用中有着较其重要的意义。GaAs MIMIC（微波毫米波单片电路）和GaAs VHSIC（**高速集成电路）将在新型相控阵雷达、阵列化电子战设备、灵巧和**高速信号处理、计算机等方面起着重要的作用。

MBE分子束外延系统由哪些部分组成？

设备组成：

沉积室 1套

该室主要是分子束外延沉积：极限真空度： 2x10-8Pa；真空室检漏漏率：小于5x10-8 Pa.L/S；短时间暴露大气并充干燥氮气抽至：1.0x10-5Pa，小于40分钟；

进样室 1套

极限真空： 6.6×10－5Pa；真空检漏漏率：10－7Pa.L/S短时间暴露大气并充干燥氮气抽至：5.0x10-4Pa，小于40分钟

样品库 1套

一次可以放进四块样品，分子束外延设备多少钱，样品为玻璃，尺寸为50×50×3mm。

探头规夹持、移动驱动机构 1套

移动距离120mm，焊接波纹管实现动密封，手动操作。

束流测量组件: 1套

用以测量各个束源的束流值。其工作模式为：需要测量束源炉束流时，将探头移到样品的正下方，完成测量后，探头后退，让出蒸发通道。计算机控制系统 　镀膜过程采用计算机控制，由计算机、软件、硬件接口液晶显示器等组成。

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MBE真空淀积介绍

从硒整流器诞生以来，真空淀积已广泛应用于半导体薄膜器件的制备上。从40年代起，蒸发铅和锡的硫化物薄膜被广泛研究，直到1964年以前还没有实现优质的外延。1964年Schoolar和Zemel用泻流盒产生的分子束在NaCl上外延生长出PbS薄膜。这也许是现代MBE技术的前奏。直到70年代初期真空设备商品化以后，MBE才得到广泛应用。

MBE基本上是真空淀积的一种复杂变种，其复杂程度取决于各个研究工作想要达到的目标。因为是真空淀积，MBE的生长主要由分子束和晶体表面的反应动力学所控制，分子束外延设备生产厂家，它同液相外延（LPE）和化学汽相淀积（CVD）等其他技术不同，后两者是在接近于热力学平衡条件下进行的。而MBE是在**高真空环境中进行的，如果配备必需的仪器，就能用许多测试技术对外延生长作在位或原位质量评估。

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