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MBE分子束外延装置介绍

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MBE装置由样品进样室、预处理分析室和牛K窜等组成。窜间用闸扳阀隔开，以确保生长室的**高真空与清洁。根据MBE系统的几何结构相应地配置真空系统。根据要求，3个室的真空配置的配置泵的系统并非一样：

(1)进样室。真空度为1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1.33×10-7Pa段用吸附泵或涡轮分子加离子泵；1.33×10-7Pa时用涡轮分子泵；1.33 x 10-8Pa时用涡轮分子泵或其他泵加闭路循环液氮低温泵。

(2)预处理分析室。真空度为1 33×10-8Pa，由400L/s抽速的离子泵获得。

(3)生长室。真空度为1.33 x 10-9Pa。要按生长室的容积大小和所用的生长材料的阵质来配置。用大抽速带冷阱的特种油扩散泵、大抽速涡轮分子泵、太抽速闭路循环液氮低温泵、大抽速离子泵等四种泵为主泵，再辅以钛升华泵。

MBE的作用

沈阳鹏程真空技术有限责任公司专业生产、销售MBE分子束外延设备，我们为您分析该产品的以下信息。

在**薄层材料外延生长技术方面，MBE的问世，mbe分子束外延多少钱，使原子、分子数量级厚度的外延生长得以实现，开拓了能带工程这一新的半导体领域。半导体材料科学的发展对于半导体物理学和信息科学起着积极的推动作用。它是微电子技术，光电子技术，**导电子技术及真空电子技术的基础。历史地看，外延技术的进展和用它制成所要求的结构在现代半导体器件的发展中起了不可缺少的作用。

MBE分子束外延的定义

分子束外延是一种新的晶体生长技术，简记为MBE。其方法是将半导体衬底放置在**高真空腔体中，和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中（也在腔体内）。由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能在上述衬底上生长出较薄的（可薄至单原子层水平）单晶体和几种物质交替的**晶格结构。分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和**晶格的生长。该法生长温度低，能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度，但系统复杂，生长速度慢，mbe分子束外延供应，生长面积也受到一定限制。

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