脉冲激光沉积系统配置介绍
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脉冲激光沉积系统配置:
生长室,进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选,激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED,激光镀膜设备价格,工作气压可达100Pa可预留法兰,用于LEED,K-Cell, E-beam等其它可选项如臭氧发生器,离子源,掩膜系统等。
脉冲激光沉积的基本系统由哪些组成?
腔室及真空泵
快速门,分子泵,全量程规
沉积源
靶台,6X1’’(25mm) 靶,可以水平旋转,
可Z方向移动
样品台
可加热至800oC(1000oC可选),可水平旋转,可Z方向移动
在线工艺监控
石英晶振沉积速率监控仪
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脉冲激光沉积机制
沈阳鹏程真空技术有限责任公司专业生产、销售脉冲激光沉积,我们为您分析该产品的以下信息。
PLD的系统设备简单,pld300型激光镀膜设备价格,相反,它的原理却是非常复杂的物理现象。它涉及高能量脉冲辐射冲击固体靶时,激光与物质之间的所有物理相互作用,PLD450型激光镀膜设备价格,亦包括等离子羽状物的形成,其后已熔化的物质通过等离子羽状物到达已加热的基片表面的转移,及膜的生成过程。所以,PLD一般可以分为以下四个阶段:
1. 激光辐射与靶的相互作用
2. 熔化物质的动态
3. 熔化物质在基片的沉积
4. 薄膜在基片表面的成核(nucleation)与生成。