分子束外延设备生产厂家-沈阳鹏程(在线咨询)-分子束外延设备

MBE分子束外延系统的特点有哪些？

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利用分子束外延不仅制取了双质结激光器、三维介质集成光波导，还可以用此法使二种光波导重叠地生长在同一基片上，制成了从一个波导移向另一个波导的锥形辋合器，其耦合系数接近于**。MBE法与其他液相、气相外延生长法相比较，其特点是：

①分子束外延生长是在**高真空下进行的，残余气体对膜的污染少，可保持较清洁的表面。

②生长温度低，如生长GaAs只有500~600℃，Si只有500℃。

③生长速度慢，(1~10μm/h)。可生长**薄(几个μm)而乎整的膜，膜层厚度、组分和杂质浓度均可进行准确地控制。

④可获得大面积的表面和界面有原子级平整度的外延生长膜。

⑤在同一系统中，可原位观察单晶薄膜的生长过程，可以进行生长机制的研究。外延生长的缺点是时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高。

MBE分子束外延概述

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分子束外延是近十年来出现的高精密制膜技术，分子束外延设备公司，它综合了脉冲激光沉积和分子束外延的特点和优势，可在高真空、**高真空条件下实现原位实时监控薄膜原子尺度层状外延生长。适用于多种**、无机薄膜的制备，尤其适宜于用其它制膜设备和方法难以制备的高熔点、多元素（特别是含有气体元素时）、复杂层状结构的薄膜和**晶格的制备，分子束外延设备厂家，并可同时进行激光与物质相互作用及成膜过程的物理、化学观测，为探索、开发新材料、新器件及相关基础研究提供了一个强有力的平台。

MBE400 分子束外延系统

MBE400 分子束外延系统是一款通用型MBE系统，非常适合于III/V族， II/VI族，及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片。竖直分割式腔体设计，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长。

该系统主要有蒸发沉积室、进样室、束源炉、样品磁力传递机构、样品库装置、样品加热机构、泵抽系统、真空测量系统、气路系统、电控系统等组成。样品从进样室通过磁力传递机构，把样品送到蒸发沉积室，进行蒸发沉积等镀膜实验。

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